選型指南
半導體保護熔斷器及直流熔斷器的選型指南
半導體保護榕斷器是專為功率半導體器件如 GBT、IGCT、GTO、SCR 等提供保護的快速熔斷器，半導體產(chǎn)品非常品進，但承受過載能力卻非常有限。因此，必須制造過載更靈敏，分斷更迅速的熔斷器對其提供保護。
相對于傳統(tǒng)的熔斷器，半導體保護熔斷器具有較低的工 及弧電壓。其設計符合標準 EC60269-4，常被成為“局部范圍”或“后備”保護熔斷器，現(xiàn)歸類為“遲” 型熔斷器。隨著被保護產(chǎn)品功率的提高及性能的發(fā)展，“全范圍”保護熔斷器的使用需求明聲越來越高。因此，2002 年“eR”和“eS”兩類具有全范圍分斷能力的培斷器劃分到了TEC 60269-4 中。其中，ER 類在低I上占優(yōu)勢，而 es 類在低功率耗方面占優(yōu)勢。
下圖是典型的半導體保護熔斷器示意圖。熔體由片狀純銀帶構成。近年來，一些制造商也致力于采取銅銀復合帶作為替代品。這些片狀培體在狹徑部分為銀，鏈接部位是銅。培體焊接在觸刀上，而熔體與石英砂都處于管體內(nèi)部。管體和兩端益板構成個封閉的空間滅弧。

額定電壓 Un
（1）IEC 規(guī)定熔斷器交流電壓在額定電壓的 110%，功率因素在 10-20%進行測試1
（2）UL 標準規(guī)定所有熔斷器在額定電壓，功率因素在 15-20%進行測試。
（3）在AC/DC設備中,如6相整流橋中,如果發(fā)生短路,DC端的電壓在瞬間增加在AC端,故此時保險絲的額定電壓須為UD21.8Uac

電弧電壓 UL
熔斷器培斷時將產(chǎn)生電弧電壓，電弧電壓峰值一般為故障電路電壓(RS)的 2 倍，最高不超過 2.5 倍。不應超過半導體元件的瞬態(tài)阻斷電壓。